1.晶振与晶体的差异
（1）产品元件采购时称为晶振。也就是有源晶振。也称晶体振荡器。
（2）无源晶体振荡器，业内专业人士称为晶体，通常是一个直接插入两英尺的非极性单元，并且可以通过时钟电路产生振荡信号。有49u，49s等封装型号。
（3）有源晶体振荡器，通常是一个四英尺附着在仪表上的元件。其中又一个时钟电路。一般分为7050、5032、3225、2520种包装形式。
2.关键参数
2.1工作时频率
晶体元件规范中规定的频率。即用户在设计电路和选择元件时需要的理想工作频率。
2.2调整频差
基温下工作频率与名义频率的允许偏差。
2.3温差
允许工作频率在整个温度范围内相对于基准温度的偏差。通常以ppm为代表。
2.4老化率
由时间引起的频率偏移。这个指标对于精密仪器是必要的。但它没有明确的测试条件。而是由制造商通过对所有产品的计划采样持续监督。某些晶体元素可能比规定的老化率有些偏差。这是允许的。老化问题的最佳解决方案只能靠制造商和用户之间的密切协商。
2.5共振阻力
晶体元素在共振频率下的等效电阻与所谓的动态电阻R1或等效系列电阻相似。而不考虑C0的影响。该参数控制晶体元件的质量因子，确定应用电路中的晶体振荡水平。从而影响晶体的稳定性，使其成为理想。因此它是晶体成分的重要参数。一般来说，对于一定的频率，选定的晶体盒越小，平均ESR值就越高。在大多数情况下。特定晶体元件的电阻值不会在制造过程中预期。而只是为了确保电阻低于规范中给出的最大值。
2.6负载谐振电阻
指在负载共振频率范围内具有指定外电容的晶体元件串联电阻。对于给定的晶体元件。负载共振电阻值取决于与元件一起工作的负载电容值。负载电容器后的共振电阻总是大于晶体元件本身的共振电阻。
2.7负载电容
用晶体元件测定负载共振频率FL的有效外电容。晶体元件规范中的cl是一个测试条件和一个使用条件，可根据用户的具体用途调整。以微调实际工作频率（即制造公差可调整）。然而，它具有一个合适的值，否则它会使振荡电路老化。其值通常是10PF、15PF、20PF、30PF、50PF等。其中Cl用于串联谐振电路。其操作频率为晶体的谐振频率。应该指出，对于某些晶体（包括非封装振荡器的应用）。0.5pf的实际电容的误差可能导致给定负载电容器（特别是小负载电容器）下的频率误差为+-6。因此，负载电容是订单规范的一个重要指标。
2.8静电容器
等效电路静电中的电容。其尺寸取决于电极面积。芯片厚度和晶片制作工艺。
2.9动态电容器
等效电路的动态电容。它的大小主要取决于电极面积。也取决于芯片的并行性、微调制的大小。
2.10动态电感
等效电路中动态的电感。动态电感和动态电容是一对相对量。
2.11共振频率
在特定条件下，晶体元件的电阻抗是电阻的低频之一。根据等效电路，fr由c1确定，l1fr由c1和l1确定。近似等于所谓的串（分支）谐振频率（fs）。这个频率是晶体的固有谐振频率。在高稳定晶体振动的设计中。它是晶体振动在标称频率。频率调节范围和频率微调装置的设置中稳定工作的设计参数。
2.12负载共振频率
在指定电阻时，晶体元件负载电容器或与负载电容器平行的阻抗以两个频率表示。负载电容串联时，两个频率的频率较低，平行负载电容的频率较高。对于给定的负载电容值，两个频率对于实际效应是相同的。
这种频率是实际频率在电路中的大多数应用时的晶体。也是制造商满足用户标准频率要求的测试参数。